Produktbeskrivning

Inuti den förseglade kammaren lägger vi vanligtvis några kopparpelare för att förstärka styvheten hos ångkammarplattan, och sintrar lite kopparnät eller pulver för att bygga en vekestruktur som skapar en kapillärkraft för att driva den kondenserade vätskan tillbaka till värmekällans område. Eftersom det termiska mediet är kylvätska, så injicerar vi en liten volym vatten i kammaren för att avdunsta och kondensera för att absorbera och överföra värmen från de elektroniska enheterna. Skillnaden mellan ångkammaren och värmeröret är att ångan i ångkammaren kan spridas åt många håll, vilket innebär att den kan sprida värmen mycket mer effektivt, vilket gör ångkammarens kylfläns till en högpresterande termisk lösning.

high-performance-vapor-chamber-cooler-01

Produktparameter (specifikation)

Parameter	Värde/intervall
Mått (L × B × H)	Anpassningsbar (typiskt: 30×30×3 mm till 150×150×8 mm)
Basmaterial	Koppar (C1100 eller motsvarande)
Wick struktur	Sintrat kopparnät (100–200 mesh) eller sintrat kopparpulver (50–100 μm)
Förstärkning	Kopparpelare (densitet och layout anpassningsbar)
Arbetsvätska	Avjoniserat vatten
Vätskepåfyllningsvolym	10–30 % av inre kavitetsvolym
Drifttemperaturområde	0 grader till 120 grader
Maximal krafthantering	Upp till 500 W (beror på storlek och vekens design)
Termiskt motstånd (Rth)	0,05 – 0,2 grader /W (typiskt)
Flathet	Mindre än eller lika med 0,05 mm över hela ytan
Tjockleksvariation	±0,1 mm
Läckhastighet	< 1×10⁻⁶ Pa·m³/s (helium leak test)

Produktfunktions

Nyckelfunktioner

01/

Multi-värmespridning

Ånga kan färdas i X- och Y-riktningar samtidigt, vilket eliminerar hot spots.

02/

Hög effektiv värmeledningsförmåga

Uppgår till 5 000–20 000 W/m·K (motsvarande 10–40 gånger så mycket som fast koppar).

03/

Tunn och lätt

Kan vara så tunn som 2 mm, perfekt för kompakt elektronik.

04/

Utmärkt strukturell integritet

Kopparpelare förhindrar att kammaren kollapsar under vakuum eller extern klämkraft.

05/

Passiv drift

Inga rörliga delar, ingen extern energitillförsel, underhållsfri-.

06/

Anpassningsbar geometri

Kan tillverkas i olika former (rektangulära, stegvis eller med monteringshål).

Ansökningar

Hög-beräkning

CPU:er, GPU:er, serverprocessorer.

Konsumentelektronik

Avancerade-smarttelefoner, surfplattor, ultrabooks.

Kraftelektronik

IGBT-moduler, växelriktare, LED-belysning.

Telekom och nätverk

Basstationer, RF effektförstärkare.

Flyg och försvar

Avionik, radarsystem där tillförlitlighet och utrymmesbegränsningar är avgörande.

Produktionsdetaljer

Processsteg	Beskrivning
Tillverkning av skal och pelare	Kopparark stämplas eller bearbetas till form; kopparpelare skärs och placeras inuti den nedre plattan.
Wick Sintring	Kopparnät eller pulver avsätts på inre ytor och sintras vid hög temperatur (800–950 grader) i en reducerande atmosfär för att bilda ett poröst lager.
Pelarbindning	Pelare är diffusions-bundna eller lödda till båda plattorna under sintring, vilket säkerställer mekaniskt stöd.
Tätning & Evakuering	De två halvorna är svetsade (ofta med TIG- eller lasersvetsning) förutom ett påfyllningsrör. Kammaren evakueras till högvakuum (mindre än eller lika med 10~^ torr).
Vätskeinjektion	Exakt uppmätt avjoniserat vatten injiceras genom påfyllningsröret.
Slutlig försegling	Påfyllningsröret krymps och förseglas genom kallsvetsning eller smältning.
Åldrande & testning	Varje enhet genomgår termisk cykling (t.ex. –40 grader till 100 grader under 10 cykler), läckagetestning och prestandavalidering.

Produktkvalificering

För att säkerställa tillförlitlighet och prestanda uppfyller varje ångkammare kylfläns eller överträffar följande kvalifikationsstandarder:

Testobjekt	Metod/skick
Läckintegritet	Heliummasspektrometri (läckagedetektor)
Termisk prestanda	Resistiv värmare + termoelement; mäta ΔT vs. effekt
Mekanisk styrka	Kompressionstest (simulerar klämkraft)
Temperatur cykling	100 cykler, –40 grader ↔ 125 grader, 30 min uppehåll vardera
Förvaring vid hög temperatur	150 grader i 1000 timmar
Vibration & chock	MIL-STD-883 (eller JESD22)
Platthet & Coplanaritet	Optisk mätning efter återflödessimulering